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NTHD4502NT1G中文资料

NTHD4502NT1G图片

NTHD4502NT1G外观图

  • 大小：300KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：-
  • FET 型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：85 毫欧 @ 2.9A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：7nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：140pF @ 15V
  • 功率 - 最大：640mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
  • 供应商设备封装：ChipFET?
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：NTHD4502NT1GOSTR

NTHD4502NT1G供应商

更新时间:2023-01-03 02:24:08
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